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PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征
引用本文:赵鸣,韩佳,杨敏,乔凯,陆干祥.PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征[J].人工晶体学报,2014,43(9):2258-2264.
作者姓名:赵鸣  韩佳  杨敏  乔凯  陆干祥
作者单位:内蒙古科技大学,内蒙古自治区白云鄂博多金属资源综合利用重点实验室,包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头,014010
基金项目:“内蒙古自治区白云鄂博矿多金属资源综合利用”创新团队专项基金;内蒙古科技大学大学生创新基金
摘    要:传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4h制备了0~0.3mol; PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2(ZnVTiO)基压敏陶瓷.在此基础上,采用XRD、SEM+ EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性.研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3(VO4)2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相.Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长.PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用.0.05; PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1V,漏电流为19.6 μA.

关 键 词:PrMnO3  ZnVTiO  压敏陶瓷  显微结构  非线性  

Microstructure and Non-linearity Characterization of ZnVTiO Based Varistor Ceramics Doped with PrMnO3 Typed Precursor
ZHAO Ming,HAN Jia,YANG Min,QIAO Kai,LU Gan-xiang.Microstructure and Non-linearity Characterization of ZnVTiO Based Varistor Ceramics Doped with PrMnO3 Typed Precursor[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(9):2258-2264.
Authors:ZHAO Ming  HAN Jia  YANG Min  QIAO Kai  LU Gan-xiang
Abstract:
Keywords:
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