| 硅基Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究 |
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| 引用本文： | 王世杰,代秀红,贾长江,张磊,贾艳丽,刘保亭.硅基Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究[J].人工晶体学报,2014(10). |
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| 作者姓名： | 王世杰 代秀红 贾长江 张磊 贾艳丽 刘保亭 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院;河北省光电信息材料重点实验室;河北大学电子信息工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11374086);河北省自然科学基金(E2014201188,E2012201035,E2014201063) |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积技术在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上生长了厚度约为200 nm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,构架了Pt/BST/Pt平行板电容器,测量了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜电容器在不同温度下的漏电流,研究了BST薄膜的结构和性能。结果表明BST薄膜为多晶钙钛矿结构,随着测量温度的降低,漏电流密度也随之降低,但是正负偏压下的J-V曲线并不对称,这主要归因于上下Pt电极与BST的界面热处理不同。通过不同导电机理对漏电流密度拟合发现,在负向偏置电压下,Pt/BST/Pt电容器均基本符合欧姆导电机制;而对于正向偏置电压,在低电压下符合欧姆导电机制,并且符合欧姆导电机制的电压范围在不断扩大,在高电压下符合空间限制电流(SCLC)导电机制。
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| 关 键 词： | Ba.Sr.TiO 脉冲激光沉积 漏电流 欧姆导电 |
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