| 组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究 |
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| 引用本文： | 刘旭焱,姬晓旭,王爱华,张帅,秦怡,李根全.组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究[J].人工晶体学报,2014,43(7):1781-1787. |
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| 作者姓名： | 刘旭焱 姬晓旭 王爱华 张帅 秦怡 李根全 |
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| 作者单位： | 南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳,473061 |
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| 基金项目： | Natural Science Foundation of China(61306007);Scientific Research Key Project of Henan Province Education Department(14A510004);Key Scientific and Technological Project of Henan Province(132102210048);Special Project of Nanyang Normal University(ZX2012017) |
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| 摘 要： | 高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品.结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5;.综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利.
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| 关 键 词： | 绝缘体上锗硅 锗浓缩 组分可控 |
Fabrication of High Ge Content SGOI by Component-controlled Ge Condensation |
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| LIU Xu-yan,JI Xiao-xu,WANG Ai-hua,ZHANG Shuai,QIN Yi,LI Gen-quan.Fabrication of High Ge Content SGOI by Component-controlled Ge Condensation[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(7):1781-1787. |
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| Authors: | LIU Xu-yan JI Xiao-xu WANG Ai-hua ZHANG Shuai QIN Yi LI Gen-quan |
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