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添加多晶硅废料制备SiC/Si3N4复相结合SiC耐火材料
引用本文:王婷,李勇,孙加林.添加多晶硅废料制备SiC/Si3N4复相结合SiC耐火材料[J].人工晶体学报,2014,43(9):2198-2204.
作者姓名:王婷  李勇  孙加林
作者单位:北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083
基金项目:国家科技支撑计划(2011BAB03B07)
摘    要:以碳化硅、多晶硅废料、金属硅粉为原料,纸浆废液为结合剂,采用反应烧结工艺制备SiC/Si3N4复相结合SiC耐火材料.运用热力学分析了利用多晶硅废料代替部分工业金属硅粉和碳化硅细粉制备SiC/Si3N4复相结合SiC耐火材料的理论可行性.系统地分析了单质硅氮化机理,提出Si首先与N2中的微量氧反应形成气态SiO,至体系氧分压降至P(02)/pθ<1 × 10-18.9,Si直接氮化.研究了多晶硅废料对材料物相组成和微观结构的影响.结果表明:利用多晶硅废料制备的SiC/Si3 N4复相结合SiC耐火材料性能优异;多晶硅废料的添加使反应生成的结合相由原先单一的Si3 N4变为Si3 N4和β-Sic,两结合相发挥各自的性能优势;多晶硅废料中的硅粉粒径小,活性大,与工业金属硅粉共存时能发生逐级氮化作用,增加了纤维状Si3N4含量,优化了材料结构.

关 键 词:多晶硅废料  SiC/Si3N4复相结合SiC  热力学  

Preparation of SiC/Si3N4 Bonded SiC Refractory by Adding Kerf Loss Silicon
WANG Ting,LI Yong,SUN Jia-lin.Preparation of SiC/Si3N4 Bonded SiC Refractory by Adding Kerf Loss Silicon[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(9):2198-2204.
Authors:WANG Ting  LI Yong  SUN Jia-lin
Abstract:
Keywords:
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