| HgI2晶体最低生长温度的确定 |
| |
| 引用本文： | 许岗,谷智,坚增运,惠增哲,刘翠霞,张改.HgI2晶体最低生长温度的确定[J].人工晶体学报,2012,41(5):1195-1199. |
| |
| 作者姓名： | 许岗 谷智 坚增运 惠增哲 刘翠霞 张改 |
| |
| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院,西安,710032;西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队基金，西北工业大学基础研究基金 |
| |
| 摘 要： | 为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.
|
| 关 键 词： | 碘化汞 物理气相沉积 最低生长温度 |
Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal |
| |
| XU Gang
,
GU Zhi
,
JIAN Zeng-yun
,
XI Zeng-zhe
,
LIU Cui-xia
,
ZHANG Gai.Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(5):1195-1199. |
| |
| Authors: | XU Gang GU Zhi JIAN Zeng-yun XI Zeng-zhe LIU Cui-xia ZHANG Gai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
