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薄膜厚度对ZnO:Y薄膜结构及光电特性影响
引用本文:杨田林,宋淑梅,辛艳青,李延辉,杜桂强,韩圣浩.薄膜厚度对ZnO:Y薄膜结构及光电特性影响[J].人工晶体学报,2012,41(5):1190-1194.
作者姓名:杨田林  宋淑梅  辛艳青  李延辉  杜桂强  韩圣浩
作者单位:山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海,264209
基金项目:山东省自然科学基金,山东大学自主创新基金
摘    要:室温下采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型ZnO∶Y(ZnO掺杂Y2O3,简称ZnO∶Y)透明导电薄膜。研究了薄膜厚度对ZnO∶Y薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:不同厚度的ZnO∶Y薄膜均为多晶薄膜,具有ZnO六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向。随薄膜厚度增加,其电阻率减小,当薄膜厚度增至800 nm时,其电阻率为8.36×10-4Ω.cm,迁移率为15.3 cm2.V-1.s-1,载流子浓度为4.88×1020cm-3。不同厚度的薄膜在可见光范围内平均透过率均为90%以上,当薄膜厚度从200 nm增加到800 nm时,薄膜禁带宽度从3.68 eV减小到3.61 eV。

关 键 词:磁控溅射  ZnO∶Y薄膜  电阻率  透过率
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