| 以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究 |
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| 引用本文： | 高玉强,彭燕,李娟,陈秀芳,胡小波,徐现刚,蒋民华.以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究[J].人工晶体学报,2010,39(2). |
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| 作者姓名： | 高玉强 彭燕 李娟 陈秀芳 胡小波 徐现刚 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部科技创新工程重大项目，973国家重大科学研究计划项目 |
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| 摘 要： | 本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.
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| 关 键 词： | 升华法 SiC单晶 微管 层错 |
Growth and Defect Characterization of 6H-SiC Single Crystal Seeded (1015) Plane |
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| GAO Yu-qiang,PENG Yan,LI Juan,CHEN Xiu-fang,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,JIANG Min-hua.Growth and Defect Characterization of 6H-SiC Single Crystal Seeded (1015) Plane[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(2). |
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| Authors: | GAO Yu-qiang PENG Yan LI Juan CHEN Xiu-fang HU Xiao-bo XU Xian-gang JIANG Min-hua |
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| Institution: | GAO Yu-qiang,PENG Yan,LI Juan,CHEN Xiu-fang,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,JIANG Min-hua(State Key Laboratory of Crystal Materials,Sh,ong University,Jinan 250100,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sublimation SiC single crystal micropipe stacking faults |
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