| GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征 |
| |
| 引用本文： | 李龙,章海霞,刘晶,马淑芳,梁建,许并社.GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征[J].人工晶体学报,2013,42(4):601-606. |
| |
| 作者姓名： | 李龙 章海霞 刘晶 马淑芳 梁建 许并社 |
| |
| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51002102);山西省回国留学人员重点科研资助项目(2009-03) |
| |
| 摘 要： | 采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长.随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰.同时对其形成机理进行了探讨.
|
| 关 键 词： | GaAs薄膜 电沉积 退火 |
Preparation and Characterization of Nano GaAs Thin Films by a Two-step Electrodeposition Method |
| |
| LI Long,ZHANG Hai-xia,LIU Jing,MA Shu-fang,HANG Jian,XU Bing-She.Preparation and Characterization of Nano GaAs Thin Films by a Two-step Electrodeposition Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(4):601-606. |
| |
| Authors: | LI Long ZHANG Hai-xia LIU Jing MA Shu-fang HANG Jian XU Bing-She |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
