首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究
引用本文:朱慧娟,刘保亭,代秀红,郭建新,周阳.硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究[J].人工晶体学报,2013,42(3):428-431.
作者姓名:朱慧娟  刘保亭  代秀红  郭建新  周阳
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
基金项目:国家自然科学基金(11074063);河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省自然科学基金(E2011201092)
摘    要:传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究.X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长.在5V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8V.当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能.

关 键 词:硅衬底  外延生长  SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结  

Structure and Properties of Si Based Epitaxial SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3 Capacitor
ZHU Hui-juan,LIU Bao-ting,DAI Xiu-hong,GUO Jian-xin,ZHOU yang.Structure and Properties of Si Based Epitaxial SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3 Capacitor[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(3):428-431.
Authors:ZHU Hui-juan  LIU Bao-ting  DAI Xiu-hong  GUO Jian-xin  ZHOU yang
Abstract:
Keywords:
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号