| ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性 |
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| 引用本文： | 张仁刚,卓雯,刘继琼,王红军,高恒.ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性[J].人工晶体学报,2012,41(6):1700-1704. |
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| 作者姓名： | 张仁刚 卓雯 刘继琼 王红军 高恒 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学应用物理系,武汉430065;冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,武汉430081;武汉科技大学应用物理系,武汉,430065 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科研计划重点项目，武汉科技大学大学生科技创新基金研究项目，冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金项目 |
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| 摘 要： | 采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.
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| 关 键 词： | ZnS薄膜 溅射 硫化 |
Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor |
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| ZHANG Ren-gang
,
ZHUO Wen
,
LIU Ji-qiong
,
WANG Hong-jun
,
GAO Heng.Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(6):1700-1704. |
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| Authors: | ZHANG Ren-gang ZHUO Wen LIU Ji-qiong WANG Hong-jun GAO Heng |
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| Institution: | 1(1.Department of Applied Physics,Wuhan University of Science and Technology,Wuhan 430065,China; 2.Hubei Province Key Laboratory of Systems Science in Metallurgical Process,Wuhan 430081,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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