| 光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究 |
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| 引用本文： | 吴庆辉,唐慧丽,苏良碧,罗平,钱小波,吴锋,徐军.光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究[J].人工晶体学报,2016,45(6):1440-1444. |
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| 作者姓名： | 吴庆辉 唐慧丽 苏良碧 罗平 钱小波 吴锋 徐军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;同济大学物理科学与工程学院,上海200092;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心,上海201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(91333106)，上海科委科技攻关(13521102700)，上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500) |
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| 摘 要： | 采用光学浮区法生长了尺寸φ8mm×40 mm的Ge∶β-Ga2O3单晶.XRD物相分析表明Ge∶β-Ga2O3单晶仍属于单斜晶系.为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×104/cm2.光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga2O3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光.电学性能测试得出,Ge∶β-Ga2O3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga2O3单晶的电学性能的确有改善.
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| 关 键 词： | Ge∶β-Ga2O3单晶 晶体生长 光学浮区法 电导率 |
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