| 射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响 |
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| 引用本文： | 乌仁图雅,周炳卿,高爱明,部芯芯,丁德松.射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响[J].人工晶体学报,2016,45(9):2322-2325. |
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| 作者姓名： | 乌仁图雅 周炳卿 高爱明 部芯芯 丁德松 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51262022) |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和N2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料.利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征.实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多.分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差.
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| 关 键 词： | 富硅-氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积 射频功率 沉积速率 |
Effect of Radio-frequency Power on Bond Structures and Properties of Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films |
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| WUREN Tu-ya,ZHOU Bing-qing,GAO Ai-ming,BU Xin-xin,DING De-song.Effect of Radio-frequency Power on Bond Structures and Properties of Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(9):2322-2325. |
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| Authors: | WUREN Tu-ya ZHOU Bing-qing GAO Ai-ming BU Xin-xin DING De-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon-rich silicon nitride thin film plasma enhanced chemical vapor deposition radiofrequency power deposition rate |
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