| 基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 周晶晶,肖少庆,姚尧,顾晓峰.基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究[J].人工晶体学报,2016(3):623-628. |
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| 作者姓名： | 周晶晶 肖少庆 姚尧 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61404061)，江苏省自然科学青年基金(BK20140168) |
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| 摘 要： | 本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。
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| 关 键 词： | SiNx 等离子体化学气相沉积 表面钝化 容性放电 |
Study on Low-temperature Silicon Nitride Passivation Films Based on Advanced Plasma |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiNx plasma chemical vapor deposition surface passivation capacitive discharge (E-mode) |
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