| 含铅GaSb基半导体的热电输运特性 |
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| 引用本文： | 王鸿翔,应鹏展,张钦祥,颜艳明,崔教林.含铅GaSb基半导体的热电输运特性[J].人工晶体学报,2016,45(2):491-496. |
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| 作者姓名： | 王鸿翔 应鹏展 张钦祥 颜艳明 崔教林 |
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| 作者单位： | 黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室,鸡西158100;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州221116;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州,221116;黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室,鸡西,158100;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州221116;宁波工程学院材料学院,宁波315016;宁波工程学院材料学院,宁波,315016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51171084)，浙江省自然科学基金(LY14E010003)，宁波市自然科学基金(2014A610016) |
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| 摘 要： | GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25; Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的～5.04 ×1023m-3突增到9.50×1025 m-3;在867 K时,电导率由0.56×104 Ω-1·m-1增加到4.82×104 Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63 W· K-1·m-1下降到3.41 W· K-1·m-1.最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍.
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| 关 键 词： | 热电材料 GaSb基半导体 结构缺陷 声电输运特性 |
Thermoelectric Performance of Lead-containing GaSb-based Semiconductors |
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| WANG Hong-xiang,YING Peng-zhan,ZHANG Qin-xiang,YAN Yan-ming,CUI Jiao-lin.Thermoelectric Performance of Lead-containing GaSb-based Semiconductors[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(2):491-496. |
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| Authors: | WANG Hong-xiang YING Peng-zhan ZHANG Qin-xiang YAN Yan-ming CUI Jiao-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thermoelectric material GaSb-based semiconductor structural defect acoustic charge transport behavior |
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