| MOVPE生长m面GaN薄膜的表面吸附研究 |
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| 引用本文： | 左朝朝,左然,童玉珍,张国义.MOVPE生长m面GaN薄膜的表面吸附研究[J].人工晶体学报,2016,45(8):2022-2027. |
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| 作者姓名： | 左朝朝 左然 童玉珍 张国义 |
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| 作者单位： | 江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013;北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京100871;东莞中镓半导体科技有限公司,东莞523500 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176009;61474058)，国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB013101)，国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032605)，国家自然科学基金重大仪器装备专项(61327801)，广东省引进创新科研团队计划(2009010044) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的Materials Studio中的CASTEP模块,对金属有机物气相外延MOVPE生长m面GaN薄膜的表面反应前体的吸附过程进行研究.针对吸附粒子GaCH3和NH3在m面GaN表面不同的初始吸附位,优化计算了GaCH3和NH3在表面的吸附能、与近邻原子的距离、态密度、电荷密度分布、电子布居.计算结果表明,GaCH3在表面Ga brg2位优化之后的位置最稳定,吸附能最低,GaCH3中的Ga原子与表面邻近的N原子、Ga原子分别形成Ga-N、Ga-Ga共价键.NH3在表面N brg2位最稳定,吸附能最低,NH3中的N原子与表面邻近的Ga原子形成N-Ga共价键.通过对比在最佳吸附位的MMG中的Ga原子和NH3中的N原子与表面原子的电荷分布情况和布居数,证明上述吸附粒子与表面确实存在共价作用,形成共价键.
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| 关 键 词： | m面GaN MOVPE 表面吸附 密度泛函理论 |
Study on Surface Adsoption of m-plane GaN Grown by MOVPE |
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| ZUO Chao-chao,ZUO Ran,TONG Yu-zhen,ZHANG Guo-yi.Study on Surface Adsoption of m-plane GaN Grown by MOVPE[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(8):2022-2027. |
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| Authors: | ZUO Chao-chao ZUO Ran TONG Yu-zhen ZHANG Guo-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | m-plane GaN MOVPE surface adsorption density functional theory |
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