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机械合金化-低温烧结Ti_3SiC_2导电陶瓷材料
引用本文:刘可心,金松哲.机械合金化-低温烧结Ti_3SiC_2导电陶瓷材料[J].人工晶体学报,2016(2):403-407.
作者姓名:刘可心  金松哲
作者单位:1. 东北电力大学工程训练中心,吉林,132012;2. 长春工业大学先进结构材料教育部重点实验室,长春,130012
基金项目:吉林省科技发展基金(20070511)
摘    要:采用化学计量比为3Ti/Si/2C的单质粉体为反应原料,通过机械合金化工艺和热处理制备高纯度的Ti3Si C2陶瓷粉体,研究了热处理温度对提高机械合金化混合粉体中Ti3Si C2纯度的影响。研究表明:在球磨转速400 r/min,球磨时间10 h的条件下,合成以Ti3Si C2为主相的混合粉体,其中Ti3Si C2含量为75.5vol%,同时出现表面灰黑色且坚硬的不规则块体,成分与球磨粉体相似。在热处理温度为850~1000℃范围内,混合粉体中Ti3Si C2的含量随着热处理温度的升高而提高,当热处理温度为1000℃时,计算粉体中Ti3Si C2的含量高达98.5vol%。

关 键 词:机械合金化  热处理  放电等离子烧结  Ti3SiC2

Synthesis of Ti3SiC2 Conducting Ceramic Materials by Mechanical Alloying and Low-Temperature Sintered
Abstract:
Keywords:mechanical alloying  heat treatment  spark plasma sintering  Ti3SiC2
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