| SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 祝祖送,张杰,尹训昌,易明芳,闻军.SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):1012-1016. |
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| 作者姓名： | 祝祖送 张杰 尹训昌 易明芳 闻军 |
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| 作者单位： | 安庆师范学院物理与电气工程学院,安庆,246133 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11447197)，安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019)，安徽省自然科学基金(1608085MA21) |
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| 摘 要： | 研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响.结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65;时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65;时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化.此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用.
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| 关 键 词： | 微晶硅 稳恒光电导效应 晶粒 等离子体增强化学气相沉积 |
Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films |
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| ZHU Zu-song,ZHANG Jie,YIN Xun-chang,YI Ming-fang,WEN Jun.Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):1012-1016. |
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| Authors: | ZHU Zu-song ZHANG Jie YIN Xun-chang YI Ming-fang WEN Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon persistent photoconductivity effect crystalline grain PECVD |
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