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| 电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布 | |
| 引用本文： | 徐继平,程凤伶.电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布[J].人工晶体学报,2016,45(9):2347-2351. |
| 作者姓名： | 徐继平 程凤伶 |
| 作者单位： | 有研半导体材料有限公司,北京,100088 |
| 摘 要： | 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据. |
| 关 键 词： | 电化学C-V MOCVD GaAs 载流子浓度 |
Study on Carrier Concentration Distribution in Silicon-doped GaAs Materials Using Electrochemical C-V Technique |
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| XU Ji-ping,CHENG Feng-ling.Study on Carrier Concentration Distribution in Silicon-doped GaAs Materials Using Electrochemical C-V Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(9):2347-2351. | |
| Authors: | XU Ji-ping CHENG Feng-ling |
| Abstract: | |
| Keywords: | electrochemical capacitance-voltage MOCVD GaAs carrier concentration |
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