| 底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法 |
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| 引用本文： | 徐家跃.底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法[J].人工晶体学报,2005,34(1):1-6. |
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| 作者姓名： | 徐家跃 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 中国科学院重大项目(KY951 A1 205 03)，创新前沿项目，上海市自然科学基金重点项目 (98JC14017、02DJ14041 )，国家自然
科学基金项目(No. 59672002)，上海市科技启明星计划资助项目(95QE14029) |
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| 摘 要： | 为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做"底部籽晶法"的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0
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| 关 键 词： | 底部籽晶体法 化学计量比 晶体生长 助熔剂 |
| 文章编号： | 1000-985X(2005)01-0001-06 |
| 修稿时间： | 2004年5月11日 |
Bottom Seeded Solution Growth:a Novel Crystal Growth Technique |
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| XU Jia-yue.Bottom Seeded Solution Growth:a Novel Crystal Growth Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(1):1-6. |
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| Authors: | XU Jia-yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bottom seeded solution growth stoichiometry crystal growth flux |
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