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Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究
引用本文:张迪,魏钦华,林佳,秦来顺,唐高,史宏声.Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究[J].人工晶体学报,2020,49(5):774-779.
作者姓名:张迪  魏钦华  林佳  秦来顺  唐高  史宏声
作者单位:中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018;中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018;中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018;中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018;中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018;中国计量大学材料与化学学院,杭州 310018
基金项目:国家自然科学基金(11975220,51972291,11575170,11605194)
摘    要:采用垂直布里奇曼法成功生长了一种Cs4SrI6:3;Eu闪烁晶体.毛坯晶体尺寸最大为φ25×70 mm3,是目前最大的Cs4SrI6:Eu单晶.XRD结果表明,晶体具有K4-CdCl6晶体结构,属于R-3C空间群,通过紫外-可见荧光光谱和X射线激发发射光谱,研究了晶体的荧光性能.研究了在137Cs662 keV辐射下Cs4SrI6:Eu单晶的闪烁性能和衰减时间,表明该晶体具有较高的光输出和优良的能量分辨率,衰减时间约为1.86μs.通过分析Eu2+在晶体中不同部位的浓度,计算出Cs4SrI6:Eu晶体中Eu2+的分凝系数约为1.136,结果表明Cs4SrI6:Eu晶体在辐射探测中具有潜在的应用前景.

关 键 词:Cs4SrI6:Eu晶体  布里奇曼法  闪烁材料  分凝系数  自吸收

Growth and Scintillation Properties of Cs4SrI6:Eu Crystal
ZHANG Di,WEI Qinhua,LIN Jia,QIN Laishun,TANG Gao,SHI Hongsheng.Growth and Scintillation Properties of Cs4SrI6:Eu Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(5):774-779.
Authors:ZHANG Di  WEI Qinhua  LIN Jia  QIN Laishun  TANG Gao  SHI Hongsheng
Abstract:
Keywords:
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