| 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究 |
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| 引用本文： | 刘兵,蒲红斌,赵然,赵子强,鲍慧强,李龙远,李晋,刘素娟.高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J].人工晶体学报,2020,49(4):570-575. |
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| 作者姓名： | 刘兵 蒲红斌 赵然 赵子强 鲍慧强 李龙远 李晋 刘素娟 |
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| 作者单位： | 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048;中科钢研节能科技有限公司,北京 100081;西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048;西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048;西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048;中科钢研节能科技有限公司,北京 100081 |
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| 基金项目： | 陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003) |
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| 摘 要： | PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素.采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体.用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征.测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm-2,电阻率范围为0.02～0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″.
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| 关 键 词： | PVT法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质 |
Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal |
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| LIU Bing,PU Hongbin,ZHAO Ran,ZHAO Ziqiang,BAO Huiqiang,LI Longyuan,LI Jin,LIU Sujuan.Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(4):570-575. |
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| Authors: | LIU Bing PU Hongbin ZHAO Ran ZHAO Ziqiang BAO Huiqiang LI Longyuan LI Jin LIU Sujuan |
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