| 碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜 |
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| 引用本文： | 张玮,满卫东,林晓棋,吕继磊,阳硕,赵彦君.碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜[J].人工晶体学报,2015,44(4):993-997. |
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| 作者姓名： | 张玮 满卫东 林晓棋 吕继磊 阳硕 赵彦君 |
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| 作者单位： | 武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波315201;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11175137,A050610) |
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| 摘 要： | 利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD).实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD).通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构.各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能.结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低.ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08 ～0.1.
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| 关 键 词： | 碳化硅 金刚石薄膜 等离子体化学气相沉积 摩擦系数 |
Synthesis of Integrated Composite Diamond Film on Silicon Carbide Ceramic Sealing Material |
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| ZHANG Wei;MAN Wei-dong;LIN Xiao-qi;LV Ji-lei;YANG Shuo;ZHAO Yan-jun.Synthesis of Integrated Composite Diamond Film on Silicon Carbide Ceramic Sealing Material[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(4):993-997. |
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| Authors: | ZHANG Wei;MAN Wei-dong;LIN Xiao-qi;LV Ji-lei;YANG Shuo;ZHAO Yan-jun |
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| Institution: | ZHANG Wei;MAN Wei-dong;LIN Xiao-qi;LV Ji-lei;YANG Shuo;ZHAO Yan-jun;Hubei Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology;Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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