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垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析
引用本文:于海群,左然,徐楠,何晓崐.垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析[J].人工晶体学报,2012,41(4):1059-1065.
作者姓名:于海群  左然  徐楠  何晓崐
作者单位:江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013
基金项目:国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
摘    要:从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式.在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大.然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率.并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合.

关 键 词:MOCVD  GaN  热泳力  数值模拟  

Influence of Thermophoretic Force on Precursor Concentration and Thin Film Growth in a Vertical MOCVD Reactor
YU Hai-qun , ZUO Ran , XU Nan , HE Xiao-kun.Influence of Thermophoretic Force on Precursor Concentration and Thin Film Growth in a Vertical MOCVD Reactor[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(4):1059-1065.
Authors:YU Hai-qun  ZUO Ran  XU Nan  HE Xiao-kun
Institution:kun(School of Energy and Power Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,China)
Abstract:
Keywords:
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