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| ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 | |
| 引用本文： | 李林娜,薛俊明,赵亚洲,李养贤,耿新华,赵颖.ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响[J].人工晶体学报,2008,37(1):147-150. |
| 作者姓名： | 李林娜 薛俊明 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 2. 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 3. 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 |
| 基金项目： | 天津市科技发展基金 , 天津市自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 氧化铟锡(indium-tin oxide, ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上.本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响.实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1.将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%. |
| 关 键 词： | ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率 |
| 文章编号： | 1000-985X（2008）01-0147-04 |
| 收稿时间： | 2006-11-20 |
| 修稿时间： | 2007-04-16 |
Thickness Dependence of In2O3: Sn Film Properties Deposited by Reactive Evaporation |
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| LI Lin-na,XUE Jun-ming,ZHAO Ya-zhou,LI Yang-xian,GENG Xin-hua,ZHAO Ying.Thickness Dependence of In2O3: Sn Film Properties Deposited by Reactive Evaporation[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(1):147-150. | |
| Authors: | LI Lin-na XUE Jun-ming ZHAO Ya-zhou LI Yang-xian GENG Xin-hua ZHAO Ying |
| Abstract: | |
| Keywords: | ITO film reactive evaporation carrier concentration Hall mobility |
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