自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究 |
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引用本文: | 徐楠,左然,何晓崐,于海群.自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究[J].人工晶体学报,2012(Z1):344-348. |
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作者姓名: | 徐楠 左然 何晓崐 于海群 |
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作者单位: | 江苏大学能源与动力工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z) |
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摘 要: | 结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。通过对比加入自由基前后RDR反应器中Ga浓度变化,来分析自由基对化学反应热解路径的影响。同时改变压强,分析操作参数的变化对自由基活性的影响。研究发现:在不考虑自由基的反应路径,薄膜生长的主要前体为DMG;而考虑自由基的反应路径,主要的生长前体为MMG。自由基的存在加速了DMG向MMG的热解,使得DMG分解为MMG速度远大于TMG分解为DMG的速度,导致衬底上方的MMG浓度高于DMG。而操作压强的变化仅仅对流动边界层产生了影响,对热解路径影响不大。
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关 键 词: | MOCVD GaN 化学反应 数值模拟 |
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