| 化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取 |
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| 引用本文： | 徐晓冬.化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取[J].人工晶体学报,2004,33(6):1031-1034. |
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| 作者姓名： | 徐晓冬 |
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| 作者单位： | 郑州经济管理学院计算机系,郑州,450052;合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素。本文通过对比实验的方法，就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究，并通过AFM(atomic force microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论。
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| 关 键 词： | 单晶 薄膜生长 基片 光滑 AFM 结论 化学机械抛光 CMP 获取 指标 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)06-1031-04 |
CMP Effect and Super-smooth Surface Acquirement |
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| XU Xiao-dong.CMP Effect and Super-smooth Surface Acquirement[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(6):1031-1034. |
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| Authors: | XU Xiao-dong |
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| Institution: | XU Xiao-dong~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single crystal substrate CMP super-smooth surface |
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