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膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响
引用本文:范素华,张伟,王培吉,张丰庆,冯博楷,马建平.膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响[J].人工晶体学报,2008,37(2):466-470.
作者姓名:范素华  张伟  王培吉  张丰庆  冯博楷  马建平
作者单位:1. 山东建筑大学材料科学与工程学院,济南,250101
2. 济南大学理学院,济南,250022
基金项目:山东省自然科学基金 , 国家自然科学基金
摘    要:采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响.发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的,I(200)/I(119) I(001)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.

关 键 词:钙锶铋钛薄膜  Nd掺杂  铁电性能  Sol-gel法  膜厚
文章编号:1000-985X(2008)02-0466-05
修稿时间:2007年7月5日

Dependences of Film Thickness on Structure and Properties of Nd Doping Calcium Strontium Bismuth Titanium Ferroelectric Film
FAN Su-hua,ZHANG Wei,WANG Pei-ji,ZHANG Feng-qing,FENG Bo-kai,MA Jian-ping.Dependences of Film Thickness on Structure and Properties of Nd Doping Calcium Strontium Bismuth Titanium Ferroelectric Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):466-470.
Authors:FAN Su-hua  ZHANG Wei  WANG Pei-ji  ZHANG Feng-qing  FENG Bo-kai  MA Jian-ping
Abstract:
Keywords:
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