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| 坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制 | |
| 引用本文： | 谷智,李国强,介万奇,郭平.坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制[J].人工晶体学报,2003,32(4):346-350. |
| 作者姓名： | 谷智 李国强 介万奇 郭平 |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西安精益晶体设备有限公司,西安,710021 |
| 摘 要： | 根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择,给出了系统的基本结构.晶体生长炉的温度控制精度为±1℃,系统的速度均匀度为±0.0015mm/h.该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求. |
| 关 键 词： | CdZnTe 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)04-0346-05 |
| 修稿时间： | 2003年4月11日 |
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