| Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究 |
| |
| 引用本文： | 陈绍华,穆文祥,张晋,董旭阳,李阳,贾志泰,陶绪堂.Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究[J].人工晶体学报,2023(8):1373-1377. |
| |
| 作者姓名： | 陈绍华 穆文祥 张晋 董旭阳 李阳 贾志泰 陶绪堂 |
| |
| 作者单位： | 1. 山东大学新一代半导体材料研究院晶体材料国家重点实验室;2. 山东工业技术研究院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098)；;广东省重点领域研发计划(2020B010174002)；;111工程2.0(BP2018013)； |
| |
| 摘 要： | 本文使用导模(EFG)法生长了Ni掺杂β-Ga2O3单晶，并通过粉末X射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量。进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni2+掺杂对β-Ga2O3光学特性的影响，发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV。此外，阴极荧光(CL)光谱测试结果显示，Ni2+掺杂β-Ga2O3单晶在600～800 nm具有宽带近红外发光特性，有望拓宽β-Ga2O3单晶材料在宽带近红外方面的应用。
|
| 关 键 词： | 氧化镓 宽禁带半导体 光电性能 宽带近红外发光 导模法 Ni掺杂 |
|
|
