| 铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究 |
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| 引用本文： | 柯笑晗,陈云琳,朱亚彬,范天伟.铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究[J].人工晶体学报,2015,44(2):368-373. |
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| 作者姓名： | 柯笑晗 陈云琳 朱亚彬 范天伟 |
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| 作者单位： | 北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所,北京,100044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61178052);教育部博士点基金(20130009110008) |
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| 摘 要： | 在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38;,平均透光率比LN衬底提高了1.1;.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 铌酸锂 磁控溅射 光电性质 |
Photoelectrical Properties of ITO Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering Method on LiNbO3 Substrate |
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| KE Xiao-han;CHEN Yun-lin;ZHU Ya-bin;FAN Tian-wei.Photoelectrical Properties of ITO Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering Method on LiNbO3 Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(2):368-373. |
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| Authors: | KE Xiao-han;CHEN Yun-lin;ZHU Ya-bin;FAN Tian-wei |
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| Institution: | KE Xiao-han;CHEN Yun-lin;ZHU Ya-bin;FAN Tian-wei;Institute of Applied Micro-Nano Materials,School of Science,Beijing Jiaotong University; |
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