| 热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 黄海宾,沈鸿烈,唐正霞,吴天如,张磊.热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究[J].人工晶体学报,2010,39(3):603-607. |
| |
| 作者姓名： | 黄海宾 沈鸿烈 唐正霞 吴天如 张磊 |
| |
| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100 |
| |
| 摘 要： | 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge 薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析.结果表明:在衬底温度200 ℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0 cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04 cm-1.结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300 ℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3 cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220).研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法.
|
| 关 键 词： | 热丝CVD 低温外延 单晶Si衬底 Si膜 Ge膜 |
Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Films on c-Si Substrate by Hot-wire CVD |
| |
| HUANG Hai-bin,SHEN Hong-lie,TANG Zheng-xia,WU Tian-ru,ZHANG Lei.Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Films on c-Si Substrate by Hot-wire CVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(3):603-607. |
| |
| Authors: | HUANG Hai-bin SHEN Hong-lie TANG Zheng-xia WU Tian-ru ZHANG Lei |
| |
| Institution: | HUANG Hai-bin,SHEN Hong-lie,TANG Zheng-xia,WU Tian-ru,ZHANG Lei(College of Materials Science , Technology,Nanjing University of Aeronautics , Astronautics,Nanjing 211100,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | hot-wire CVD low temperature epitaxial technique c-Si substrate Si film Ge film |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
