| ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 杨智慧,秦福文,吴爱民,宋世巍,刘胜芳,陈伟绩.ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜[J].人工晶体学报,2010,39(2). |
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| 作者姓名： | 杨智慧 秦福文 吴爱民 宋世巍 刘胜芳 陈伟绩 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性重点实验室,大连,116024 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.
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| 关 键 词： | 掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长 |
Growth of GaN Films on ZnO:Al Substrate at Low Temperature |
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| YANG Zhi-hui,QIN Fu-wen,WU Ai-min,SONG Shi-wei,LIU Sheng-fang,CHEN Wei-ji.Growth of GaN Films on ZnO:Al Substrate at Low Temperature[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(2). |
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| Authors: | YANG Zhi-hui QIN Fu-wen WU Ai-min SONG Shi-wei LIU Sheng-fang CHEN Wei-ji |
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| Institution: | YANG Zhi-hui,QIN Fu-wen,WU Ai-min,SONG Shi-wei,LIU Sheng-fang,CHEN Wei-ji(Key Laboratory of Materials Modification by Laser,Ion , Electron Beams,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al-doped ZnO substrate GaN films low temperature growth |
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