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温梯法生长76mm Ce:YAG闪烁晶体的研究
引用本文:赵广军,曾雄辉,徐军,徐月泉,周永宗.温梯法生长76mm Ce:YAG闪烁晶体的研究[J].人工晶体学报,2003,32(4):320-323.
作者姓名:赵广军  曾雄辉  徐军  徐月泉  周永宗
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上海中科嘉浦光电子材料有限公司,上海,201821;上海中科嘉浦光电子材料有限公司,上海,201821
摘    要:首次采用温度梯度法(TGT)成功生长了直径为76mm高光学质量的Ce:YAG高温闪烁晶体,采用ICP-AES测试了Ce离子在Ce:YAG晶体中的分凝系数约为0.082.在室温下,测试了原生态Ce:YAG晶体的吸收光谱和X射线激发发射光谱(XEL).吸收光谱显示了Ce3+离子的3个特征吸收带,对应的中心波长分别为223nm,340nm及460nm;XEL发射谱表明Ce:YAG的发射峰为550nm,能与硅光二极管有效地耦合.

关 键 词:无机闪烁晶体  Ce:YAG  温度梯度法  光谱测量  
文章编号:1000-985X(2003)04-0320-04
修稿时间:2003年3月6日

Study on 76mm Ce:YAG Scintillation Single Crystal Grown by Temperature Gradient Technique (TGT)
Abstract:
Keywords:Ce:YAG
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