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ThSiO4:V^4+晶体的光谱及EPR参量的理论研究
引用本文:黄永平.ThSiO4:V^4+晶体的光谱及EPR参量的理论研究[J].人工晶体学报,2008,37(5).
作者姓名:黄永平
作者单位:宜宾学院物理与电子工程系,宜宾,644007
基金项目:宜宾学院校科研和教改项目
摘    要:基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4 晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4 杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.

关 键 词:晶体场理论  电子顺磁共振参量  缺陷结构  V4  晶体

Theoretical Studies of the Optical Spectra and EPR Parameters for V4+ in ThSiO4 Crystal
HUANG Yong-ping.Theoretical Studies of the Optical Spectra and EPR Parameters for V4+ in ThSiO4 Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(5).
Authors:HUANG Yong-ping
Abstract:
Keywords:ThSiO4
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