| 垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究 |
| |
| 引用本文： | 徐楠,左然,何晓焜,于海群.垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究[J].人工晶体学报,2012,41(4):1107-1112. |
| |
| 作者姓名： | 徐楠 左然 何晓焜 于海群 |
| |
| 作者单位： | 江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z) |
| |
| 摘 要： | 对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径.研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体.反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大；当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差.
|
| 关 键 词： | 生长速率 MOCVD GaN 反应路径 |
Study on GaN Chemical Reaction Path in Vertical Rotating-disk MOCVD Reactor |
| |
| XU Nan
,
ZUO Ran
,
HE Xiao-kun
,
YU Hai-qun.Study on GaN Chemical Reaction Path in Vertical Rotating-disk MOCVD Reactor[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(4):1107-1112. |
| |
| Authors: | XU Nan ZUO Ran HE Xiao-kun YU Hai-qun |
| |
| Institution: | (School of Energy and Power Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
