| 光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 王明姣,高,红,温,静,唐欣月,张,锷.光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响[J].人工晶体学报,2014,43(2):345-349. |
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| 作者姓名： | 王明姣 高 红 温 静 唐欣月 张 锷 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,哈尔滨150025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11074060,51172058);黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目(12521z012) |
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| 摘 要： | 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线.选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性.结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触.讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制.
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| 关 键 词： | 铟掺杂ZnO纳米线 紫外光辐照 肖特基接触 欧姆接触 |
Influence of UV Irradiation for Electrical Properties of Individual In Doped ZnO Nanowires |
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| WANG Ming-jiao,GAO Hong,WEN Jing,TANG Xin-yue,ZHANG E.Influence of UV Irradiation for Electrical Properties of Individual In Doped ZnO Nanowires[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(2):345-349. |
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| Authors: | WANG Ming-jiao GAO Hong WEN Jing TANG Xin-yue ZHANG E |
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