| 组分挥发对CBO晶体生长影响研究 |
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| 引用本文： | 徐子颉,吴以成,傅佩珍,陈创天.组分挥发对CBO晶体生长影响研究[J].人工晶体学报,2002,31(1):45-48. |
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| 作者姓名： | 徐子颉 吴以成 傅佩珍 陈创天 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学化学系,合肥,230026;中国科学院北京人工晶体研究发展中心,北京,100080 |
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| 摘 要： | 非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.
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| 关 键 词： | 非线性光学晶体 CsB3O5 挥发 XRD |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)01-0045-04 |
| 修稿时间： | 2001年8月22日 |
Study on the Influence of Volatility on the Growth of CBO Crystal |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CsB3O5 XRD |
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