| 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光 |
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| 引用本文： | 梁庆瑞,胡小波,陈秀芳,徐现刚,宗艳民,王希杰.4H-SiC的强氧化液化学机械抛光[J].人工晶体学报,2015,44(7):1741-1747. |
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| 作者姓名： | 梁庆瑞 胡小波 陈秀芳 徐现刚 宗艳民 王希杰 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南250111;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南,250111 |
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| 基金项目： | National Basic Research Program of China(2011CB301904);Natural Science Foundation of China(11134006,51321091) |
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| 摘 要： | 研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.
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| 关 键 词： | 碳化硅 化学机械抛光 高锰酸钾 粗糙度 去除率 |
Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry |
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| LIANG Qing-rui,HU Xiao-bo,CHEN Xiu-fang,XU Xian-gang,ZONG Yan-min,WANG Xi-jie.Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(7):1741-1747. |
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| Authors: | LIANG Qing-rui HU Xiao-bo CHEN Xiu-fang XU Xian-gang ZONG Yan-min WANG Xi-jie |
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