| Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究 |
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| 引用本文： | 李丹洋,何新华,符小艺.Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究[J].人工晶体学报,2015,44(9):2390-2393. |
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| 作者姓名： | 李丹洋 何新华 符小艺 |
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| 作者单位： | 华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21103052);广东省科技计划项目(2007A010500012) |
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| 摘 要： | 采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV).Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度.测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σ.c和直流电导率σdc随温度(300～ 1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱.σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大.CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高.
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| 关 键 词： | CaBi4Ti4O15 Y、V共掺杂 电导率 复阻抗 |
Structure and Electrical Properties of Yttrium and Vanadium Co-doped CaBi4Ti4O15 Ceramics |
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| LI Dan-yang,HE Xin-hua,FU Xiao-yi.Structure and Electrical Properties of Yttrium and Vanadium Co-doped CaBi4Ti4O15 Ceramics[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(9):2390-2393. |
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| Authors: | LI Dan-yang HE Xin-hua FU Xiao-yi |
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