| 共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能 |
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| 引用本文： | 王锋,黄鹏飞.共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能[J].人工晶体学报,2013(1):186-191. |
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| 作者姓名： | 王锋 黄鹏飞 |
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| 作者单位： | 泉州师范学院物理与信息工程学院 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金(2010J01305,E0510027)资助项目;福建省教育厅A类科技项目(JA12283);泉州市科技项目计划(2009G82012Z105);福建省高校服务海西建设重点项目(A100) |
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| 摘 要： | 采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x=0.78、0.72、0.68)薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K)Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13μB。低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变。
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| 关 键 词： | 射频共溅射 NiZnO 铁磁性 电阻率 |
Structure,Magnetic and Electrical Properties of NixZn1-xO Co-sputtering Films |
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| WANG Feng,HUANG Peng-fei.Structure,Magnetic and Electrical Properties of NixZn1-xO Co-sputtering Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2013(1):186-191. |
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| Authors: | WANG Feng HUANG Peng-fei |
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| Institution: | (School of Physics and Information Engineering,Quanzhou Normal University,Quanzhou 362000,China) |
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