| 纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积 |
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| 引用本文： | 彭英才,马蕾,康建波,范志东,简红彬.纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积[J].人工晶体学报,2006,35(3):560-564. |
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| 作者姓名： | 彭英才 马蕾 康建波 范志东 简红彬 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
2. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金(No.503125)，中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助 |
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| 摘 要： | 利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。
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| 关 键 词： | LPCVD 纳米晶粒 多晶Si膜 结晶成核 晶粒融合 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）03-0560-05 |
| 收稿时间： | 12 22 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-12-22 |
Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nanograin Polysilicon Thin Films |
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| PENG Ying-cai,MA Lei,KANG Jian-bo,FAN Zhi-dong,JIAN Hong-bin.Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nanograin Polysilicon Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(3):560-564. |
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| Authors: | PENG Ying-cai MA Lei KANG Jian-bo FAN Zhi-dong JIAN Hong-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LPCVD nanograins polysilicon films nucleation Si nanograins mergence |
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