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ZnO/SnO2复合透明导电膜性能的研究
引用本文:高哲,卢景霄,陈庆东,刘玉芬,王子健,陈永生.ZnO/SnO2复合透明导电膜性能的研究[J].人工晶体学报,2008,37(2):417-421.
作者姓名:高哲  卢景霄  陈庆东  刘玉芬  王子健  陈永生
作者单位:郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:采用直流磁控溅射工艺在SnO:透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极.比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要.研究了快速热退火(RTA)对薄膜的结构及光电性能的影响,发现400℃退火能够改善薄膜的光学性能.

关 键 词:ZnO/SnO2复合膜  快速热退火(RTA)  氢轰击  透过率
文章编号:1000-985X(2008)02-0417-05
修稿时间:2007年5月16日

Study on Property of ZnO / SnO2 Transparent Conductive Films
GAO Zhe,LU Jing-xiao,CHEN Qing-dong,LIU Yu-fen,WANG Zi-jian,CHEN Yong-sheng.Study on Property of ZnO / SnO2 Transparent Conductive Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):417-421.
Authors:GAO Zhe  LU Jing-xiao  CHEN Qing-dong  LIU Yu-fen  WANG Zi-jian  CHEN Yong-sheng
Abstract:
Keywords:
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