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GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的 量子化学计算
引用本文:张周,左然,唐斌龙,袁银梅,张红.GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的 量子化学计算[J].人工晶体学报,2018,47(7):1312-1317.
作者姓名:张周  左然  唐斌龙  袁银梅  张红
作者单位:江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013
基金项目:国家自然科学基金(61474058)
摘    要:利用量子化学的密度泛函理论,计算GaN的MOVPE生长中主要的表面反应前体NH3、GaCH3(简写为MMG)在GaN(0001)面台阶处的吸附特性,并与理想平台表面对比.结果表明,在台阶吸附时,NH3有分子吸附和分解吸附两种结构,MMG只有两种分子吸附结构.NH3分子吸附时,吸附能在台阶处大于在平台表面;NH3分解吸附时,吸附能在平台表面大于在台阶处.说明NH3在台阶处容易发生分子吸附,而在平台表面容易发生分解吸附.MMG在台阶处的吸附能均大于在平台表面,说明它们在台阶处吸附比理想表面更容易.

关 键 词:GaN  密度泛函理论  表面反应  台阶吸附  

Quantum Chemical Calculation on the Step Surface Adsorptions in GaN MOVPE Process
ZHANG Zhou,ZUO Ran,TANG Bin-long,YUAN Yin-mei,ZHANG Hong.Quantum Chemical Calculation on the Step Surface Adsorptions in GaN MOVPE Process[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(7):1312-1317.
Authors:ZHANG Zhou  ZUO Ran  TANG Bin-long  YUAN Yin-mei  ZHANG Hong
Abstract:
Keywords:
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