IB族金属掺杂单层MoS_2电子结构的研究

本文基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用数值基组研究了IB族金属Cu,Ag,Au掺杂单层MoS_2的键长畸变、稳定性、能带结构和态密度。探讨了Cu,Ag,Au掺杂对单层MoS_2电子结构的影响;结果表明:Cu,Ag,Au在Mo位掺杂都会导致杂质原子附近的键长发生畸变,但畸变程度略有差异,Cu掺杂体系的稳定性强于Ag,Au在Mo位掺杂的体系;Cu,Ag,Au掺杂致使单层MoS_2的禁带中出现新能级;Cu,Ag,Au在S位吸附的稳定性强于Mo位吸附,对于MoS_2在S位吸附Cu,Ag,Au对其禁带的宽度影响较小;但稳定性最强的都是Au元素的吸附体系。