| Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 蔡莉莉,冯翠菊.Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响[J].人工晶体学报,2018,47(1):108-112. |
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| 作者姓名： | 蔡莉莉 冯翠菊 |
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| 作者单位： | 华北科技学院理学院,廊坊,065201 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费资助(3142016010) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Mg掺杂浓度对GaN晶格参数、能带结构、电子态密度和光学性质的影响.研究表明:Mg掺杂GaN体系,晶格常数增大,禁带宽度增加,而且禁带宽度随着Mg含量的增加而增加,同时N2p和Mg2p态电子轨道的相互杂化,从而在费米能级附近引入受主能级,随着Mg含量的增加,费米能级进入价带的位置加深,同时Mg掺杂浓度越高,价带和导带带宽越窄.掺Mg后在介电函数和光学吸收谱的低能区和高能区均出现了新的介电峰,这些峰的出现和禁带中的杂质能级到导带底的跃迁有关,由于带隙的增加使介电峰向高能量方向发生偏移.
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| 关 键 词： | 晶格常数 能带结构 态密度 介电函数 |
Electronic Structure and Optical Property of Mg-doped GaN at Different Concentrations |
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| CAI Li-li,FENG Cui-ju.Electronic Structure and Optical Property of Mg-doped GaN at Different Concentrations[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(1):108-112. |
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| Authors: | CAI Li-li FENG Cui-ju |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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