| 3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 范梦慧,岑伟富,蔡勋明,廖杨芳,谢晶,谢泉.3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].人工晶体学报,2018,47(7):1346-1352. |
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| 作者姓名： | 范梦慧 岑伟富 蔡勋明 廖杨芳 谢晶 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;贵州民族大学机械电子工程学院,贵阳 550025;贵州民族大学机械电子工程学院,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61264004);贵州省科技合作计划(黔科合 LH字[2015]7218,[2017]7077);青年科技人才成长基金项目(黔教合KY字 [2016]166);贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字[2016]028, [2016]030) |
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| 摘 要： | 采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-SiC(110)表面形成带隙值为0.87 eV的直接带隙半导体;3C-SiC(100)表面转变为导体.由光学性质分析得到,与3C-SiC块体比较,3C-SiC(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移.
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| 关 键 词： | 3C-SiC 表面 电子结构 光学性质 第一性原理 |
First-principles Calculation on the Surface Electronic Structures and Optical Properties of 3C-SiC |
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| FAN Meng-hui,CEN Wei-fu,CAI Xun-ming,LIAO Yang-fang,XIE Jing,XIE Quan.First-principles Calculation on the Surface Electronic Structures and Optical Properties of 3C-SiC[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(7):1346-1352. |
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| Authors: | FAN Meng-hui CEN Wei-fu CAI Xun-ming LIAO Yang-fang XIE Jing XIE Quan |
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