| 变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响 |
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| 引用本文： | 曲翔,徐继平,王海涛,何宇,王新,杨凯,王磊.变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响[J].人工晶体学报,2018,47(7):1474-1479. |
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| 作者姓名： | 曲翔 徐继平 王海涛 何宇 王新 杨凯 王磊 |
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| 作者单位： | 有研半导体材料有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用.在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数.通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺.该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变.
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| 关 键 词： | 多晶硅沉积 弯曲 翘曲 |
Effect of Variable Temperatures Growing Polysilicon on Geometric Parameters of 8 inch Silicon Wafer |
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| QU Xiang,XU Ji-ping,WANG Hai-tao,HE Yu,WANG Xin,YANG Kai,WANG Lei.Effect of Variable Temperatures Growing Polysilicon on Geometric Parameters of 8 inch Silicon Wafer[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(7):1474-1479. |
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| Authors: | QU Xiang XU Ji-ping WANG Hai-tao HE Yu WANG Xin YANG Kai WANG Lei |
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