| 酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究 |
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| 引用本文： | 魏顺勇,张志勇,杨辉,安辛友,张敏,曾体贤.酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究[J].人工晶体学报,2018,47(6):1280-1285. |
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| 作者姓名： | 魏顺勇 张志勇 杨辉 安辛友 张敏 曾体贤 |
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| 作者单位： | 西华师范大学物理与空间科学学院,南充,637002;中国科学院国家天文台,北京,100012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(U1731123);教育部春晖计划(Z2016122) |
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| 摘 要： | 利用自然解理和X射线衍射仪对气相法制备的大尺寸CdSe单晶定向,并沿光轴方向切割出20 mm×20 mm ×3 mm的CdSe波片初胚.采用酸性化学机械抛光方法对波片初胚进行表面处理,将5;溴甲醇与W0.25(粒度为0.25 μm)的金刚石悬浮液按1:10的体积比混合并用盐酸调节抛光液的pH值.结果表明:当抛光液pH＝5时,样品表面平整划痕较少,粗糙度约为0.8 nm,平行度公差f＝0.00275 mm,样品的红外透过率在2-20 μm波段均达到65;-70;,其吸收系数在0.01～0.06 cm-1之间
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| 关 键 词： | 硒化镉波片 化学机械抛光 表面粗糙度 平行度公差 红外透过率 |
Study on Polishing Process of CdSe Wave Plate under Acidic Conditions |
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| WEI Shun-yong,ZHANG Zhi-yong,YANG Hui,AN Xin-you,ZHANG Min,ZENG Ti-xian.Study on Polishing Process of CdSe Wave Plate under Acidic Conditions[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(6):1280-1285. |
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| Authors: | WEI Shun-yong ZHANG Zhi-yong YANG Hui AN Xin-you ZHANG Min ZENG Ti-xian |
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