| Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究 |
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| 引用本文： | 刘芳芳,孙云,张力,何青,李长健.Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究[J].人工晶体学报,2009,38(2). |
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| 作者姓名： | 刘芳芳 孙云 张力 何青 李长健 |
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| 作者单位： | 南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.
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| 关 键 词： | 太阳电池 品质因子 反向饱和电流 二极管特性 |
Study on the Diode Characteristics of Cu(In,Ga)Se_2 Thin Film Solar Cells |
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| LIU Fang-fang,SUN Yun,ZHANG Li,HE Qing,LI Chang-jian.Study on the Diode Characteristics of Cu(In,Ga)Se_2 Thin Film Solar Cells[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(2). |
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| Authors: | LIU Fang-fang SUN Yun ZHANG Li HE Qing LI Chang-jian |
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| Institution: | Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Device and Technique of Tianjin;Nankai University;Tianjin 300071;China |
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| Abstract: | Diode characteristics parameters of Cu(In,Ga)Se2(CIGS) solar cell with different efficiency have been calculated by linearly fitting the light and dark J-V(current-voltage) curve. In certain range, the CIGS solar cells with the lower values of diode quality factor A and reverse saturation current J0 show the higher efficiency, which indicates the recombination of light-generated carrier mainly occurred in the PN junction. The results from quantum efficiency (QE) measurements show that different-efficiency C... |
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| Keywords: | Cu(In Ga)Se2 |
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