ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究 |
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引用本文: | 郭保智,刘永生,武新芳,房文健,彭麟,高湉.ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究[J].人工晶体学报,2014(1). |
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作者姓名: | 郭保智 刘永生 武新芳 房文健 彭麟 高湉 |
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作者单位: | 上海电力学院太阳能研究所;上海电力学院环境与化学工程学院; |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11374204,11204171);上海市青年科技启明星计划(跟踪)(11QH140100);上海市科委重点项目(12JC1404400,11160500700) |
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摘 要: | 利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的晶格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构。氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响。
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关 键 词: | ZnO 掺杂 氧空位 第一性原理 |
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